Budoucí paměti poodhaleny: Samsung o DDR6, GDDR7 a GDDR6+

DDR6, GDDR6+ a GDDR7

Právě na trh přišly paměti DDR5 pro osobní počítače, takže je před námi asi ještě několik let, než přijde jejich náhrada (mezi uvedením DDR4 a DDR5 bylo víc než sedm let). Samsung coby jeden z hlavních výrobců pamětí teď ale na konferenci Tech Day 2021 představil vzdálenější plány toho, co přijde po DDR5: připravovanou DDR6, ale také nové grafické paměti, které by měly nahradit GDDR6 a GDDR6X.

Samsung tyto informace uvedl neveřejně a nepovolil dělat snímky nebo kopírovat předvedené slajdy, nicméně německý web ComputerBase, který byl přítomný, informace docela podrobně zaznamenal.

DDR6: Až „17,0GHz“ paměti

DDR6 má být velký upgrade v technologiích operační paměti. Cílem je opět dvojnásobné navýšení toho, čemu říkáme efektivní frekvence (reálné frekvence takto vysoká samozřejmě není). Tato dvojnásobná „efektivní frekvence“, respektive přenosová rychlost na jeden bit šířky sběrnice, pak přímo znamená zdvojnásobení paměťové propustnosti.

U DDR5 se teď počítá s tím, že by standardní moduly dle specifikací JEDEC běžely eventuálně na rychlosti DDR5-6400 (což je samo dvojnásobek proti DDR4-3200), přetaktované moduly běžící přes profily XMP 3.0 by dle dnešních odhadů mohly dosahovat až někam k 8500 MHz efektivně (DDR5-8500).

Oproti tomu DDR6 by se výhledově mohla dostat na nějakých 12 800 MHz efektivně (DDR6-12800) v případě oněch modulů běžících na standardizovaných specifikacích JEDEC. Zapojení se dvěma moduly a tím 128bitovou šířkou by pak mělo teoretickou propustnost téměř 205 GB/s, což dnes mají jen serverové procesory (jde zhruba o propustnost, kterou dává 256bitový paměťový řadič procesorů Apple M1 Pro, který je dost výjimečný). Toto bude si vyšší standard, ke kterému se dostaneme časem. Podobně jako teď budou „JEDEC“ moduly DDR5-6400 dostupné až časem a standard odstartoval jen na DDR5-4800, také DDR6 bude nejspíš jako výchozí bod nižší frekvence. Mohlo by to možná být DDR6-9600, což by zase byl ten dvojnásobek proti dnešní DDR5-4800, ale to už je jenom náš dohad. Při 128bitové šířce by PC s dvěma moduly DDR6-9600 měla propustnost cca 154 GB/s.

Moduly používající přetaktování, které asi zase pojede přes nějaký druh profilů XMP (a se zvýšeným napětím), podle odhadů Samsungu patrně také přinesou stejné dvojnásobné efektivní frekvence proti DDR5, a tím i dvojnásobnou propustnost. Výhledově by se prý mohyl tedy dostat na nějakých 17 000 MHz efektivně (DDR6-17000). To by teoreticky dávalo propustnost až 272 GB/s.

Paměťové moduly od Samsungu

Pamatujte ale na to, že jde zatím o neoficiální odhady, přesné výsledky mohou být trochu jiné (i lepší). Tyto paměti jsou samozřejmě ještě hodně daleko a zatím jen probíhá jejich vývoj v poměrně raných fázích. Na trh se asi DDR6 dostane až za několik let. Pokud by opět do jejich vydání od příchodu předchůdce uplynulo sedm let, tak by mohla nastoupit až v roce 2028. Nicméně možný je asi i rychlejší start (třeba v letech 2026 nebo 2027), bude to záviset na tempu standardizace a na tom, jak moc bude počítačový průmysl pociťovat potřebu vyšších propustností u RAM.

Modul se bude skládat ze čtyř nezávislých podkanálů

Vedle těchto nástřelů frekvencí, na které by se výrobci pamětí chtěli dostat, byly sdělené už i některé změny, které se u těchto pamětí chystají. U DDR6 má být údajně použitý čtyřnásobný počet banků (64) proti DDR4.

Také bude dále rozvinuto rozdělení jednoho modulu (jenž má 64bitovou šířku) na více kanálů, u nichž lze pak použít prokládání, nezávislé přístupy a zvýšit propustnost, která se dá z modulů vytěžit. Začalo to u DDR5 rozdělením modulu na dva 32bitové kanály (proto vám u Alder Lake CPU-Z může hlásit „quad-channel“). U DDR6 se prý chystá další rozdělení – modul by měl dokonce již čtyři kanály. Pokud má být zachována stejná celková šířka 64 bitů, znamená to, že jeden kanál bude jen 16bitový.

Modul DIMM paměti DDR5 je rozdělený na dva sub-kanály (Zdroj: Micron)

Tyto změny umožňují větší paralelismus v rámci jednoho modulu. To by mohlo o něco zlepšit to, kolik reálné propustnosti se dá z určité teoretické propustnosti (dané efektivní frekvencí) dostat. Při stejném taktu paměti by se z modulů rozdělených takto na více podkanálů mělo dát vytěžit více propustnosti.

GDDR7 pofičí až na 32,0 GHz, ale před ní bude ještě GDDR6+

Samsung také potvrdil plány na příští generace pamětí pro grafické karty z linie pamětí GDDR. Nejde ale jen o GDDR7. Ta je sice v roadmapě, ale bezprostředně se teď pracuje ještě na jedné mezigeneraci, která přijde na trh před ní. GDDR7 je tedy asi ještě dost vzdálená věc.

Samsung uvádí, že vyvíjí paměti nazvané GDDR6+, které patrně jsou někde na půl cesty mezi úplně novou technologií GDDR7 a nyní již používaným standardem GDDR6. Mají ovšem dosáhnout výrazně vyšších taktů, až 24,0 GHz efektivně (reálný takt bude ale samozřejmě mnohem nižší), což je 50% navýšení proti 16,0GHz GDDR6 a třetinové navýšení proti speciální 18,0GHz GDDR6, která se ale moc široce ještě nevyužívá (zatím snad jen v speciálním vodním Radeonu RX 6900 XT LC).

Paměti GDDR6 od Samsungu

Jak přesně bude této rychlosti dosaženo, nebylo vyjeveno. Pokud se ale podaří tyto paměti zrealizovat, šlo by o zdatnou konkurenci pro GDDR6X od Micronu, kterou používá nyní Nvidia. Je teoreticky možné, že GDDR6+ je obdobné technické řešení s kódováním PAM4 (pak by ale asi tato paměť mohla mít podobně zvýšenou spotřebu jako GDDR6X). Teprve asi uvidíme, zda GDDR6+ bude JEDEC standardem a tyto paměti budou nabízet i další výrobci, nebo zda to bude nestandardizované řešení specifické pro jednu značku, jako GDDR6X a GDDR5X Micronu.

Tip: GPU Ampere mají nové paměti GDDR6X na bázi PAM4, máme detaily

32 GHz někdy v budoucnu

GDDR7 přijde zřejmě až po této epizodě. Opět zatím nebylo prozrazeno, jaké technické fígle by tyto paměti mohly používat, ale plánuje se u nich údajně, že dosáhnou cca. dvojnásobné rychlosti proti GDDR6 – pracovně se počítá s 32,0 GHz efektivně. A je samozřejmě možné, že poté bude vyvinutá ještě bonusová verze třeba na 36,0 GHz, podobně jako existuje ta 18GHz GDDR6 a bývala i 9GHz GDDR5.

32GHz (efektivně) paměti by logicky výrazně navýšily propustnosti grafik – GPU se 128bitovou sběrnicí by najednou měla propustnost jako dnešní 256bitová GPU osazené 16GHz GDDR6; karta jako Radeon RX 6900/6800 XT s 256bitovou sběrnicí by měla místo 512 GB/s již propustnost 1 TB/s. Otevře se tím zase cesta k vyšším výkonům. Významný bude ale pořád i skok ve výkonu oproti GDDR6X (nebo GDDR6+).

Zdroje: ComputerBase, via: VideoCardz

Jan Olšan, redaktor Cnews.cz


  •  
  •  
  •  
Flattr this!

Paměti DDR6 mají dosáhnout takty až 21 GHz. Hotové budou za rok

Ještě sice nedošlo ke kompletnímu přechodu počítačů z pamětí DDR4 na DDR5, ale už se začíná rýsovat nová generace. JEDEC nyní dává dohromady specifikaci DDR6 a tato technologie by se mohla dostat do praxe zhruba za tři roky. Tyto paměti by se mohly dostat až na rychlosti kolem 21 GHz, tedy trojnásobek toho, co dnes máme s DDR5. Jenže je možné, že tato paměť nebude tím, co budete potkávat v budoucích PC a noteboocích. Celý článok „Paměti DDR6 mají dosáhnout takty až 21 GHz. Hotové budou za rok“ »

  •  
  •  
  •  

Vrstvená paměť DRAM na obzoru. Může to být převrat jako 3D NAND

Paměti DRAM používané v operačních pamětech dlouhodobě narážejí na problémy. Škálování na nové výrobní procesy jim nejde nejlíp, což limituje růst kapacit. Podobné to bylo u posledních 15nm pamětí NAND Flash před momentem, kdy byla planární technologie nahrazena za 3D NAND. To vdechlo SSD doslova nový život, nebo přinejmenším životnost. Teď se však i pro paměti DRAM rýsuje vrstvená „3D“ verze, která doufejme bude podobně přínosná. Celý článok „Vrstvená paměť DRAM na obzoru. Může to být převrat jako 3D NAND“ »

  •  
  •  
  •  

Místo SO-DIMMů moduly CAMM? Umožní upgrade paměti LPDDR

Loni na jaře se objevil nový typ vyměnitelných pamětí, který v noteboocích zavedl Dell. Formát CAMM tehdy vypadal jako nekompatibilní řešení, aby se při upgradech nedal výrobce notebooku obejít a bylo třeba kupovat drahý originální díl. Tyto paměti ale budou standardizovány, a mohly by mít v noteboocích zajímavé přínosy. Například by mohly umožnit vyměňovat a upgradovat RAM typu LPDDR, což doteď nikdy nebylo možné. Celý článok „Místo SO-DIMMů moduly CAMM? Umožní upgrade paměti LPDDR“ »

  •  
  •  
  •  

Pridaj komentár

Vaša e-mailová adresa nebude zverejnená. Vyžadované polia sú označené *